FET N-Channel 100V 9.2A 60W IRF520N Hexfet Power MOSFET TO-220AB
€ 0,62 incl. BTW
Vergelijken
Beschrijving
Extra informatie
Q & A
Beschrijving
Transistor Application
SWITCHING
Transistor Element Material
SILICON
Channel Type
N-CHANNEL
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Operating Mode
ENHANCEMENT
Transistor Type
GENERAL PURPOSE POWER
Drain Current-Max (ID)
9.2 A
DS Breakdown Voltage-Min
100 V
Avalanche Energy Rating (Eas)
6.0 mJ
Drain-source On Resistance-Max
0.2700 ohm
Please
login to post questions
You've just added this product to the cart:
View Cart
Continue
Deze website maakt uitsluitend gebruik van cookies om de functionaliteit te waarborgen, er worden geen analytische gegevens verzameld voor commerciële doeleinden. Sluiten